Test stability zápisu
Test stability zápisu
Na do polovice zaplnenom SSD a kompletne zaplnenom SSD sa po dobu 30 minút náhodne zapisovali pseudonáhodné bloky dát o veľkosti 4 kB a súčasne sa sledoval priebeh počtu vykonaných operácií v závislosti od času.
Prvý testovaný kus s pôvodným fw 6.1 vypovedal službu práve počas testov stability zápisu, kedy ho už nebolo možné naformátovať na plnú kapacitu, nedalo sa vykonať ani secure erase. Program HDDErase vyhlásil, že "Factory default maximum address does NOT equal the maximum LBA address currently set!!!" s tým, že na disku existujú špeciálne diagnostické miesta, HPA a/alebo DCO o veľkosti 200426673 sektorov. HDDErase síce ponúkol zmazanie týchto sektorov, no nakoľko to nebolo možné ani pomocou nástroja Disk Erase z Parted Magic, SSD putoval prostredníctvom distribútora výrobcovi na diagnostiku.
čiastočne nefunkčnému SSD nepomohla ani aktualizácia firmvéru, ktorá je zatiaľ možná iba z prostredia Windows
Priebeh náhodného zápisu 4 kB blokov dát na polovičnej kapacite disku je v prípade SSD GOODRAM C100 jasne ohraničený mantinelmi o hodnotách 43k IOPS a 49k IOPS až na ojedinelé, zato však opakujúce sa prepady výkonu. Rýchlosť zápisu je zo všetkých SSD najnižšia (čo sme sa už dozvedeli v predchádzajúcej kapitole), a to aj po zapísaní všetkého alokovaného miesta, keď C100-ka striedavo zapisuje v uvedených mantineloch a iba cca 4k IOPS. Samsung 840 EVO na rozdiel od SSD GOODRAM patrí medzi najvýkonnejšie disky s najstabilnejším zápisom, ktorý sa po prepísaní alokovaného miesta rozosciluje v medziach 10k až 30k s tým, že rýchlosť zápisu má stúpajúcu tendenciu. Zapnutie RAPID mode SSD Samsung takmer vôbec nepomáha.
V prípade náhodného zápisu 4 kB blokov dát na zaplnenom disku sa GOODRAM C100 prekvapivo ukazuje v celkom dobrom svetle, nakoľko takmer každú sekundu dokáže zapísať cca 6 000 blokov dát až na zopár opakujúcich sa prípadov. Voči nemu je Samsung 840 EVO v priemere pomalší o cca 1 200 IOPS a nepomôže mu ani RAPID mode, skôr naopak.
Keď sa presunieme do podnikového prostredia, v ktorom sa môže na disk klásť aj 32 súčasných požiadaviek na zápis 4 kB blokov dát, sa v prípade zápisu na polovičnej kapacite disku u SSD GOODRAM zvýši rýchlosť zápisu z 43k až 49k na takmer stabilných 60k, pokým SSD Samsung 840 EVO si v podstate vôbec nepolepší. Napriek tomu je 840 EVO výkonnejším diskom aj po zapísaní všetkého alokovaného miesta. Zapnutie RAPID mode pomôže SSD Samsung iba nepatrne.
Výkon aj stabilita zápisu je u testovanej dvojice v podstate rovnaká ako v prípade súčasného zápisu iba 4 blokov dát, čo znamená, že GOODRAM C100 prekonal 840 EVO o cca 1 200 IOPS.
Na poslednom grafe sa detailnejšie pozrieme na stabilitu výkonu jednotlivých SSD v záverečných piatich minútach testu, keď by už mal byť výkon ustálený. Za týchto podmienok zapisoval 240GB GOODRAM C100 priemernou rýchlosťou 6 253 IOPS, pokým 250GB Samsung 840 EVO bol o cca 2 000 IOPS, resp. 1 800 IOPS v RAPID mode pomalší. Z vizuálneho hľadiska sa javí stabilita zápisu lepšia u SSD GOODRAM, no zopár špičkových hodnôt, ako aj zopár výkonnostných prepadov inak perfektného priebehu zrazili jeho stabilitu na 43%, pokým kostrbatejší priebeh 840 EVO bez akýchkoľvek prekmitov alebo prepadov prekročilo 60% hranicu stability zápisu. Testovaná dvojica tak prekonala konkurenčné SSD s radičom SF-2281 a Crucial M500 a dorovnala OCZ Vertex 450.
xsi69
OVERLORD
elementar