1. Domov
  2. SanDisk a Toshiba testujú nástupcu FLASH pamätí

SanDisk a Toshiba testujú nástupcu FLASH pamätí

V laboratóriach SanDisku a Toshiby vzniká možný nástupca pamätí typu Flash.

Flash pamäte boli objavené pred približne 30-timi rokmi, avšak ich boom prišiel až posledných 10 rokov. Princíp sa za tú dobru príliš nezmenil - plávajúce hradlo tranzistora, deštruktívny zápis. To je zároveň slabinou tohoto typu pamätí - po určitej dobe dôjde k poškodeniu pamäťovej bunky, čím sa začne znehodnocovať celé médium.

Týmto by však nemal trpieť pamäť typu ReRAM. Jedná sa o odporovú pamäť (REsistive Random Access Memory), ktorá v pricípe využíva špeciálne dielektrikum, u ktorého sa "programuje" stav vodivý-nevodivý. Má podobné vlastnosti ako Flash (udržuje dáta uložené aj po odpojení od zdroja energie, vysoká hustota integrácie), no pridáva aj niečo naviac - Flash pamäť sa adresuje po blokoch, u ReRAM je možné naadresovať každú jednu bunku. A čo je podstatné, má menšiu spotrebu energie a nemá deštruktívne mazanie, čo výrazne predĺži životnosť pamäte. Počíta sa samozrejme aj s nasadením v SSD diskoch.

SanDisk v spolupráci s Toshibou vyrobili prototypy pamäťových ReRAM čipov 24nm technológiou. Jeden takýto čip má kapacitu až 32GB. Nie sú však jediní, kto s takouto technológiou experimentuje - v závislosti na type materiálu dielektrika existuje asi pol tuctu podobných riešení - napr. PCM (Phase-Change Memory, pamäť založená na zmene fázy). HP taktiež vyvíja podobnú technológiu. Je však otázkou času, kedy sa z prototypov stanú reálne produkty.

 

Zdroj: guru3d.com

 

Tagy pamäťové karty flash pamäte ReRAM
Komentáre (2)
maniak
14.1.2013 - 20:37
Zakladny vyskum v tejto oblasti sa robi aj na ElU SAV, konkretne teda ReRAM, akurat priemysel robi s oxidmi hafnia a hlinika, u nas sa skuma oxid titanu.
Shatterhand
15.1.2013 - 12:24
Ináč ja som práve s ReRam robil (bakalárka - nebol to len teoretický výcuc), a v tom aj pokračujem (diplomovka). Ono je pravda že tam mazanie nie je deštruktívne, ale niečo iné je tam problémom. Ide o to že to funguje na princípe zmeny odporu štruktúry priloženým napätím (v skutočnosti za to môže pretekajúci prúd). Táto štruktúra má práve 2, v článku už spomenuté stavy - vodivý a nevodivý. Najpravdepodobnejšie to funguje tak, že po priložení napätia istej hodnoty sa vytvoria v štruktúre nano-rozmerné tzv. kónické filamenty(akési stĺpčeky), ktoré budú premosťovať elektródy skrz dielektrikum, akoby ho skratovali - tým sa rapídne zníži odpor štruktúry - takzvaný nevodivý stav, nazývaný aj "ON"(nastane "SET", log. 1). Keď sa dané napätie ďalej zvýši nad určitú hodnotu, tak sa veľkou energetickou hustotou(na tak malú štruktúru obrovská intenzita poľa pri určitom prúde) jednoducho lokálne joulovým teplom filamenty prepália - rapídne sa zvýši odpor štruktúry - "OFF"(nastane "RESET", log. 0). Keď sa robí I-V charakteristika daných štruktúr, tak krivka sa veľmi podobá hysteréznej, aké vidíme pri H-B krivkách napr. elektromagnetoch. Nuž a celý problém je v tom, že používaním(týmto switchovaním) táto štruktúra degraduje a napätia potrebné na SET a RESET sa čoraz viac približujú k sebe (napätie potrebné pre SET stúpa a pre RESET klesá). Tiež je dôležitý pomer rezistivity v stavoch ON a OFF. Čím je väčší, tým lepšie. Avšak opotrebovaním tento pomer klesá. Takže s tým opotrebovaním to úplne pravda nie je :)
Pridať nový komentár
Rady pre písanie
TOPlist