SanDisk a Toshiba testujú nástupcu FLASH pamätí

Zakladny vyskum v tejto oblasti sa robi aj na ElU SAV, konkretne teda ReRAM, akurat priemysel robi s oxidmi hafnia a hlinika, u nas sa skuma oxid titanu.

Ináč ja som práve s ReRam robil (bakalárka - nebol to len teoretický výcuc), a v tom aj pokračujem (diplomovka). Ono je pravda že tam mazanie nie je deštruktívne, ale niečo iné je tam problémom. Ide o to že to funguje na princípe zmeny odporu štruktúry priloženým napätím (v skutočnosti za to môže pretekajúci prúd). Táto štruktúra má práve 2, v článku už spomenuté stavy - vodivý a nevodivý. Najpravdepodobnejšie to funguje tak, že po priložení napätia istej hodnoty sa vytvoria v štruktúre nano-rozmerné tzv. kónické filamenty(akési stĺpčeky), ktoré budú premosťovať elektródy skrz dielektrikum, akoby ho skratovali - tým sa rapídne zníži odpor štruktúry - takzvaný nevodivý stav, nazývaný aj "ON"(nastane "SET", log. 1). Keď sa dané napätie ďalej zvýši nad určitú hodnotu, tak sa veľkou energetickou hustotou(na tak malú štruktúru obrovská intenzita poľa pri určitom prúde) jednoducho lokálne joulovým teplom filamenty prepália - rapídne sa zvýši odpor štruktúry - "OFF"(nastane "RESET", log. 0). Keď sa robí I-V charakteristika daných štruktúr, tak krivka sa veľmi podobá hysteréznej, aké vidíme pri H-B krivkách napr. elektromagnetoch. Nuž a celý problém je v tom, že používaním(týmto switchovaním) táto štruktúra degraduje a napätia potrebné na SET a RESET sa čoraz viac približujú k sebe (napätie potrebné pre SET stúpa a pre RESET klesá). Tiež je dôležitý pomer rezistivity v stavoch ON a OFF. Čím je väčší, tým lepšie. Avšak opotrebovaním tento pomer klesá. Takže s tým opotrebovaním to úplne pravda nie je :)