4GHz GDDR4 od Samsung

Sansung Electronics predstavil na ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) pamäte GDDR4 s efektívnou frekvenciou 4GHzTáto frekvencia je o 40% vyššia, než sa u GDDR4 počítalo ako s limitom, no pamäť má však aj vyššiu spotrebu. Experimentálne 512Mb chipy sú vyrábané 80nm procesom s pracovným napätím 1.4-2.1V. 4GHz sa podarilo dosiahnuť pri 2.0V. Súčasná generácia GDDR4 od Samsung pracuje maximálne na 1.9V.

Jeden 32-bit GDDR4 chip taktovaný na 4GHz by dosahoval priepustnosť okolo 16GB/s. Použitím týchto chipov na dnešných 256-bit grafických kartách by znamenalo priepustnosť 128GB/s, u pripravovaného R600 s 512-bit zbernicou dokonca 256GB/s. Pre porovnanie - 8800GTX s 384-bit zbernicou a taktom GDDR3 pamätí 1800MHz efektívne má priepustnosť 86GB/s, a jediná karta s GDDR4 na trhu - Radeon X1950XTX dosahuje priepustnosť pamäte (256-bit, 2.0GHz efektívne) 64GB/s.


Laboratóriá Samsung-u už po druhýkrát "prepisujú" roadmapy pamätí, keďže sa počítalo, že v roku 2007 sa dosiahne cca 2.8GHz na GDDR4 a na prielome 2008-2009 takty od 3.5 do 4GHz. Samsung mal už vo februári 2006 GDDR4 taktovanú na 3.2GHz, tentoraz 4.0GHz.

Firma neoznámila, kedy presne zaháji sériovú výrobu nových pamätí, ale očakáva sa, že produkcia začne niekedy na prelome 2007-2008. V súčasnosti sú v ponuke 2.4GHz chipy, ale ani tie sa na grafikách neobjavia tak skoro kvôli limitom plošných spojov.

Zdroj: xbitlabs.com