Samsung vyrobil prvé 8 GB LPDDR4 pamäte pre smartfóny

chyby: 1) Čipy sú vyrábané "10 nm - class" procesom, marketingove oznacenie "10 nm - class" neznamena 10 nm, ale 1x nm, kde x je dekadicka cifra. Teda hocico medzi 10 a 19 nm! Analogicky marketingovy nazov "20 nm - class" je hocico medzi 20 a 29 nm. 2) Celá pamäť poskytne priepustnosť 4266 Mbps - tak to asi nie. To by sme si pri zavratnej priepustnosti 4266 Mbps = 533 MB/s asi vela neuzili, pretoze uz aj najpomalsie DDR2 pred 15 rokmi davali 2 GB/s ze ano a 533 MB/s dnes mavaju SSDcka pre SATAIII a nie RAMky. 4266 Mbps (ono demetne martetingove 4266 tzv. "MHz") je priepustnost na jeden bit zbernice. To platilo a plati zatial VZDY pri RAM a VRAM. No a kedze RAM maju 64-bit zbernicu na jeden kanal (no jo s ECC sa to vysplha na 72 bit), tak to mame (4266*64)/8 = vyse 34 GB/s na jeden kanal.